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NTMFS4836N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
5000
12
20
4500
4000
C iss
T J = 25 ° C
10
Q T
18
16
3500
3000
2500
C iss
8
6
V DS
V GS
14
12
10
2000
1500
C rss
4
Q gs
Q gd
8
6
1000
500
0
15
10
5
V GS
0
5
V DS
10
15
20
C oss
25
30
2
0
0
5
I D = 30 A
T J = 25 ° C
10 15 20 25 30 35 40
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
4
2
0
45
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
100
V DS = 15 V
I D = 15 A
V GS = 11.5 V
t f
t d(off)
30
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
15
10
t d(on)
10
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
260
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
240
I D = 22 A
100
10 m s
100 m s
220
200
180
160
10
1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1 1
10
1 ms
10 ms
dc
100
140
120
100
80
60
40
20
0
25
50 75
100 125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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